Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPD30N06S4L23ATMA2, VDSS 60 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 55V-60V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en una variedad de encapsulados y que abarcan desde RDS(on) hasta 160mΩThe 60V, la nueva familia de MOSFET de automoción 1.5mΩ con tecnología OptiMOS5 proporciona más potencia y rendimiento líder. OptiMOS 5 proporciona pérdidas de conducción reducidas optimizadas para accionamientos y aplicaciones de conversión de potencia. Los encapsulados sin cable más pequeños SSO8 (5x6mm2) y S3O8 (3x3mm2) permiten un ahorro de espacio de más del 50 % en comparación con el área de un DPAK.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Prueba de avalancha al 100 %
RDS más baja del mundo a 60V (on)
capacidad de corriente más alta
pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para mayor eficiencia térmica
encapsulados robustos de fiabilidad y calidad superior
La carga de puerta total optimizada permite etapas de salida de controlador más pequeñas