MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRFR3504ZTRPBF, VDSS 40 V, ID 77 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7494
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-422
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3504ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
8,29 €
(exc. IVA)
10,03 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 11.800 unidad(es) más para enviar a partir del 30 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,829 € | 8,29 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7494
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-422
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3504ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 77A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 77A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa
Alto rendimiento en aplicaciones de baja frecuencia
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 700 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 150 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines