MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 51 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7406
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R170CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2.217,50 €
(exc. IVA)
2.682,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 28 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,887 € | 2.217,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7406
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R170CFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 76W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 76W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 600V Cool MOS CFD7 es la última tecnología MOSFET de súper unión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie Cool MOS 7. El MOS CFD7 frío se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69 % inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
La mejor resistencia a conmutación dura de su clase
Máxima fiabilidad para topologías resonantes
Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento
Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines