MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
220-7415
Nº ref. fabric.:
IPD90P03P4L04ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Tensión directa Vf

-1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Disipación de potencia máxima Pd

137W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.

Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora

No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.

Circuito de accionamiento de interfaz sencilla

El RDSon más bajo del mundo en 40V

Capacidad de corriente más alta

Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica

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