Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 220-7415
Nº ref. fabric.:: IPD90P03P4L04ATMA2
Fabricante:: Infineon

Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines

4880 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,899 €

(exc. IVA)

1,088 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 +	0,899 €	2.247,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 220-7415
Nº ref. fabric.:: IPD90P03P4L04ATMA2
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPD90P03P4L04ATMA2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.

Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.
Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
El RDSon más bajo del mundo en 40V
Capacidad de corriente más alta
Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	TO-252
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0041 O
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.3125V
Número de Elementos por Chip	1

Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines

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