MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7416
- Nº ref. fabric.:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,232 € | 11,16 € |
| 50 - 120 | 1,988 € | 9,94 € |
| 125 - 245 | 1,852 € | 9,26 € |
| 250 - 495 | 1,74 € | 8,70 € |
| 500 + | 1,608 € | 8,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7416
- Nº ref. fabric.:
- IPD90P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 137W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 137W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.
Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora
No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.
Circuito de accionamiento de interfaz sencilla
El RDSon más bajo del mundo en 40V
Capacidad de corriente más alta
Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica
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