MOSFET y Diodo, Tipo P-Canal Infineon IPD90P03P4L04ATMA2, VDSS 30 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

11,16 €

(exc. IVA)

13,505 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,232 €11,16 €
50 - 1201,988 €9,94 €
125 - 2451,852 €9,26 €
250 - 4951,74 €8,70 €
500 +1,608 €8,04 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-7416
Nº ref. fabric.:
IPD90P03P4L04ATMA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

125nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Disipación de potencia máxima Pd

137W

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia de automoción de canal P en encapsulado DPAK, D2PAK, TO220, TO262 y SO8 con la tecnología OptiMOS -P2 y Gen5.

Canal P - Nivel lógico - Modo de mejora

No se requiere bomba de carga para accionamiento de lado alto.

Circuito de accionamiento de interfaz sencilla

El RDSon más bajo del mundo en 40V

Capacidad de corriente más alta

Pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para más alta eficiencia térmica

Enlaces relacionados