Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPG20N10S4L35AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, 2elementos
- Código RS:
- 220-7423
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N10S4L35AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
24740 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
0,593 €
(exc. IVA)
0,718 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
5000 + | 0,593 € | 2.965,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7423
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N10S4L35AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 75V-100V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en varios encapsulados. Un rango RDS(on) de 1.2mΩ 190mΩReducing a CO2 48V de emisiones de turismos acelera la adopción de la placa 48V y, por tanto, el como generadores de arranque (inversor principal), Interruptores principales de la batería, convertidor dc-dc y auxiliares 48V. Para este mercado emergente, Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de automoción 80V y 100V, Que están alojados en diferentes tipos de paquetes como TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) y S308 (TSDSON-8), para proporcionar soluciones para diferentes requisitos de potencia, así como diferentes conceptos de refrigeración en el nivel de unidad de control electrónico (ECU). Junto a las aplicaciones 48V, los MOSFET 80V y 100V también se utilizan en iluminación de LED, inyección de combustible y carga inalámbrica en el vehículo.
Nivel lógico de canal N doble: Modo de mejora
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Factible para la inspección óptica automática (AOI)
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Factible para la inspección óptica automática (AOI)
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo de Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,035 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 16V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Enlaces relacionados
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPG20N10S4L35AATMA1, VDSS 100...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPG20N04S4L07AATMA1, VDSS 40 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPC100N04S5L1R1ATMA1, VDSS 40...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon BSC061N08NS5ATMA1, VDSS 80 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon BSC028N06NSTATMA1, VDSS 60 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon BSC13DN30NSFDATMA1, VDSS 300 V,...
- Transistor MOSFET Infineon IPG20N06S4L14AATMA1, VDSS 60 V, ID 20...