MOSFET Infineon IPG20N06S4L26AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos
- Código RS:
- 223-8521
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
24910 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
0,413 €
(exc. IVA)
0,50 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
5000 + | 0,413 € | 2.065,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 223-8521
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de canal N doble de la serie OptiMOS de Infineon tiene una tensión de drenador a fuente de 60 V. Tiene las ventajas de una conexión de bastidor de cable de fuente mayor para la unión de cables y el cable de unión es de 200um mm para una corriente de hasta 20A A.
Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo de Encapsulado | TDSON |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,026 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Material del transistor | Si |
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