Conjuntos MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L26AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 223-8523
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,916 € | 13,74 € |
| 75 - 135 | 0,87 € | 13,05 € |
| 150 - 360 | 0,852 € | 12,78 € |
| 375 - 735 | 0,797 € | 11,96 € |
| 750 + | 0,742 € | 11,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 223-8523
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5.15mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N doble de la serie OptiMOS de Infineon tiene una tensión de drenador a fuente de 60 V. Tiene las ventajas de una conexión de bastidor de cable de fuente mayor para la unión de cables y el cable de unión es de 200um mm para una corriente de hasta 20A A.
Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %
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