MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R1K2P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7443
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,50 € | 12,50 € |
| 125 - 225 | 0,475 € | 11,88 € |
| 250 - 600 | 0,455 € | 11,38 € |
| 625 - 1225 | 0,435 € | 10,88 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7443
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 6.1mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.38 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 6.1mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.38 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon ha desarrollado la serie MOSFET de súper unión MOS P7 700V Cool para servir a las tendencias actuales y, especialmente, a las del futuro en topologías de devolución de vuelo. Se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas hoy en día. Al combinar las opiniones de los clientes con más de 20 años de experiencia en MOSFET de súper unión, el P7 Cool MOS 700V permite la mejor adaptación para aplicaciones de destino en términos de:
FOM R R DS(on) x E OSS extremadamente bajo; Bajar Q g, E on y E OFF
Tecnología de alto rendimiento
Pérdidas de conmutación bajas (E OSS)
Muy eficaz
Excelente comportamiento térmico
Permite conmutación de alta velocidad
Diodo Zener de protección integrada
Optimizado V (GS)the de 3V con tolerancia muy estrecha de ±0,5 V.
Cartera finamente graduada
Tecnología de coste competitivo
Hasta un 2,4 % de ganancia de eficiencia y una temperatura del dispositivo 12K más baja En comparación con la tecnología C6
Mayor ganancia de eficiencia a mayor velocidad de conmutación
Admite menos tamaño magnético con costes de BOM más bajos
Alta resistencia ESD hasta HBM de nivel de clase 2
Fácil de manejar y diseño
Habilitador para diseños de densidad de potencia y factores de forma más pequeños
Excelente elección para seleccionar el producto que mejor se ajuste
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