MOSFET Infineon BSZ150N10LS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

Código RS:: 222-4634
Nº ref. fabric.:: BSZ150N10LS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSZ150N10LS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,172 €

(exc. IVA)

1,418 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,172 €	11,72 €
50 - 90	1,114 €	11,14 €
100 - 240	1,066 €	10,66 €
250 - 490	1,02 €	10,20 €
500 +	0,949 €	9,49 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4634
Nº ref. fabric.:: BSZ150N10LS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSZ150N10LS3GATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	PQFN 3 x 3
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,015 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.1V
Material del transistor	Silicio
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon BSZ150N10LS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

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