MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4665
- Nº ref. fabric.:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4665
- Nº ref. fabric.:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
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