MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 111 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
222-4718
Nº ref. fabric.:
IPW60R018CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

111A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

251nC

Disipación de potencia máxima Pd

416W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.21mm

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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