MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R018CFD7XKSA1, VDSS 650 V, ID 111 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4719
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4719
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 111A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 251nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 416W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 21.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 111A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 251nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 416W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 21.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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