MOSFET Infineon IPD26N06S2L35ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 223-8515
Nº ref. fabric.:: IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD26N06S2L35ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

7340 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,59 €

(exc. IVA)

0,71 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 80	0,59 €	11,80 €
100 - 180	0,472 €	9,44 €
200 - 480	0,436 €	8,72 €
500 - 980	0,407 €	8,14 €
1000 +	0,377 €	7,54 €

*precio indicativo

Código RS:: 223-8515
Nº ref. fabric.:: IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPD26N06S2L35ATMA2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N serie OptiMOS de Infineon en encapsulado DPAK. Tiene ventajas de la capacidad de corriente más alta, las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,035 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPD26N06S2L35ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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