MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- Código RS:
- 225-0580
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 225-0580
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPDQ60R010S7 | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Anchura | 2.35 mm | |
| Altura | 21.06mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPDQ60R010S7 | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.1mm | ||
Anchura 2.35 mm | ||
Altura 21.06mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPDQ60R010S7 es el MOSFET de potencia de canal N y ofrece el mejor rendimiento para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El MOSFET está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es una solución ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de forro en SMPS y topologías de inversor.
Minimiza las pérdidas de conducción
Aumenta la eficiencia energética
Diseños más compactos y sencillos
Elimina o reduce los disipadores de calor en el diseño de estado sólido
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