MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines

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Código RS:
225-0579
Nº ref. fabric.:
IPDQ60R010S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HDSOP

Serie

IPDQ60R010S7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

318nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

694W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.1mm

Altura

21.06mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPDQ60R010S7 es el MOSFET de potencia de canal N y ofrece el mejor rendimiento para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El MOSFET está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es una solución ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de forro en SMPS y topologías de inversor.

Minimiza las pérdidas de conducción

Aumenta la eficiencia energética

Diseños más compactos y sencillos

Elimina o reduce los disipadores de calor en el diseño de estado sólido

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