MOSFET, N-Canal Infineon IPDQ60R040S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 207 A, N, HDSOP
- Código RS:
- 260-1202
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R040S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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| 1 - 4 | 9,43 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 260-1202
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R040S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 207A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 272W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Anchura | 15.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 207A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 272W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.1mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Anchura 15.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.
Capacidad de corriente de impulso alta
Mayor rendimiento del sistema
Diseño más compacto y sencillo
BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado
Resistencia a golpes y vibraciones