MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R022S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 375 A, N, HDSOP
- Código RS:
- 260-1200
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 8,98 € |
| 5 - 9 | 8,26 € |
| 10 - 24 | 7,72 € |
| 25 - 49 | 7,18 € |
| 50 + | 6,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 260-1200
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R022S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 375A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 416W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 375A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 416W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.
Capacidad de corriente de impulso alta
Mayor rendimiento del sistema
Diseño más compacto y sencillo
BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado
Resistencia a golpes y vibraciones