MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R125G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 20 A, N, HDSOP de 10 pines
- Código RS:
- 258-3875
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,84 € |
| 10 - 24 | 1,75 € |
| 25 - 49 | 1,67 € |
| 50 - 99 | 1,60 € |
| 100 + | 1,51 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3875
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R125G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 120W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 120W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El DPAK doble de Infineon es el primer encapsulado de dispositivo de montaje superficial refrigerado de la parte superior que aborda aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, energía solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas de la tecnología de alta tensión ya existente de 600 V CoolMOS G7 MOSFET de superunión se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, proporcionando una solución de sistema para topologías de conmutación rígida de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.
Innovador concepto de refrigeración superior
Configuración de fuente Kelvin de 4o contacto integrada y inductancia de fuente parásita baja
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Supera los estándares de calidad más altos