MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 20 A, N, HDSOP de 10 pines

Subtotal (1 bobina de 1700 unidades)*

2.573,80 €

(exc. IVA)

3.114,40 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 29 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1700 +1,514 €2.573,80 €

*precio indicativo

Código RS:
258-3874
Nº ref. fabric.:
IPDD60R125G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPD

Encapsulado

HDSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Disipación de potencia máxima Pd

120W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El DPAK doble de Infineon es el primer encapsulado de dispositivo de montaje superficial refrigerado de la parte superior que aborda aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, energía solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas de la tecnología de alta tensión ya existente de 600 V CoolMOS G7 MOSFET de superunión se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, proporcionando una solución de sistema para topologías de conmutación rígida de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.

Innovador concepto de refrigeración superior

Configuración de fuente Kelvin de 4o contacto integrada y inductancia de fuente parásita baja

Permite soluciones de mayor densidad de potencia

Supera los estándares de calidad más altos

Enlaces relacionados