MOSFET Infineon IPDD60R125G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 20 A, PG-HDSOP-10

Código RS:: 258-3874
Nº ref. fabric.:: IPDD60R125G7XTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPDD60R125G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 20 A, PG-HDSOP-10

1515 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1700)

2,192 €

(exc. IVA)

2,652 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1700 +	2,192 €	3.726,40 €

*precio indicativo

Código RS:: 258-3874
Nº ref. fabric.:: IPDD60R125G7XTMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPDD60R125G7XTMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El DPAK doble de Infineon es el primer encapsulado de dispositivo de montaje superficial refrigerado de la parte superior que aborda aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, energía solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas de la tecnología de alta tensión ya existente de 600 V CoolMOS G7 MOSFET de superunión se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, proporcionando una solución de sistema para topologías de conmutación rígida de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.

Innovador concepto de refrigeración superior
Configuración de fuente Kelvin de 4o contacto integrada y inductancia de fuente parásita baja
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Supera los estándares de calidad más altos

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	PG-HDSOP-10
Tipo de Montaje	Montaje superficial

MOSFET Infineon IPDD60R125G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 20 A, PG-HDSOP-10

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Especificaciones

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