MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- Código RS:
- 225-0577
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 225-0577
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | IPDQ60R010S7A | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.06mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie IPDQ60R010S7A | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.06mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon IPDQ60R010S7A es un MOSFET de alimentación de alta tensión diseñado como interruptor estático conforme al principio de superunión (SJ). El mosfet combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta clase que permite un bajo nivel de RDS (ON) en encapsulado QDPAK. La serie S7A está optimizada para conmutación de baja frecuencia y alta corriente. aplicación como disyuntores.
Minimiza las pérdidas de conducción
Aumenta la eficiencia energética
Diseños más compactos y sencillos
Menor coste de TCO o coste de BOM