MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines

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Código RS:
225-0577
Nº ref. fabric.:
IPDQ60R010S7AXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPDQ60R010S7A

Encapsulado

HDSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

318nC

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

694W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.35 mm

Altura

21.06mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Infineon IPDQ60R010S7A es un MOSFET de alimentación de alta tensión diseñado como interruptor estático conforme al principio de superunión (SJ). El mosfet combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta clase que permite un bajo nivel de RDS (ON) en encapsulado QDPAK. La serie S7A está optimizada para conmutación de baja frecuencia y alta corriente. aplicación como disyuntores.

Minimiza las pérdidas de conducción

Aumenta la eficiencia energética

Diseños más compactos y sencillos

Menor coste de TCO o coste de BOM

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