MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiR500DP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 350.8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 228-2902
- Nº ref. fabric.:
- SiR500DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2902
- Nº ref. fabric.:
- SiR500DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.47mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 120nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.47mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 120nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 30 V.
100 % Rg y UIS probados
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