MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 350.8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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RS Stock No.:
228-2900
Mfr. Part No.:
SiR500DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

350.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.47mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

104.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 30 V.

100 % Rg y UIS probados

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