MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO65N60DM6, VDSS 600 V, ID 46 A, Mejora, TO-LL de 8 pines

RS Stock No.:: 228-3053
Mfr. Part No.:: STO65N60DM6
Brand:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO65N60DM6, VDSS 600 V, ID 46 A, Mejora, TO-LL de 8 pines

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Mfr. Part No.:: STO65N60DM6
Brand:: STMicroelectronics

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	46A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	TO-LL
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	76mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	65.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	320W
	Tensión directa Vf	1.6V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 46A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado TO-LL
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 76mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65.2nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 320W
	Tensión directa Vf 1.6V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - STO65N60DM6

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO65N60DM6, VDSS 600 V, ID 46 A, Mejora, TO-LL de 8 pines

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