MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STO65N60DM6, VDSS 600 V, ID 46 A, Mejora, TO-LL de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-3053
Nº ref. fabric.:
STO65N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-LL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

76mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

320W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional

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