MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 62 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
229-6443
Nº ref. fabric.:
NTBG045N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SiC Power

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

242W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.7 mm

Altura

9.4mm

Longitud

10.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.

Más alta eficacia

Frecuencia de funcionamiento más rápida

Mayor densidad de potencia

EMI reducidas

Tamaño reducido del sistema

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