MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 145 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
229-6441
Nº ref. fabric.:
NTBG015N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

145A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SiC Power

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

4.8V

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

283nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

9.4mm

Longitud

10.2mm

Anchura

4.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.

Más alta eficacia

Frecuencia de funcionamiento más rápida

Mayor densidad de potencia

EMI reducidas

Tamaño reducido del sistema

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