MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTBGS004N10G, VDSS 100 V, ID 203 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

11,64 €

(exc. IVA)

14,08 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 02 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 185,82 €11,64 €
20 - 1985,015 €10,03 €
200 +4,35 €8,70 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
229-6446
Nº ref. fabric.:
NTBGS004N10G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

203A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiC Power

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

178nC

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.2mm

Altura

9.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE potencia ON Semiconductor tiene una tecnología robusta para ofrecer la máxima fiabilidad. Está diseñado específicamente para aplicaciones SOA amplias desde un bus 48V.

Tolerancia de intercambio en caliente con curva SOA superior

Conformidad con RoHS

Reduce la pérdida de conducción

Enlaces relacionados