MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 135 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
232-6752
Nº ref. fabric.:
ISC0702NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

135A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Anchura

1.2 mm

Altura

5.35mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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