MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 97 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
232-6766
Nº ref. fabric.:
ISC0806NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

97A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.1mΩ

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Disipación de potencia máxima Pd

96W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.2mm

Longitud

6.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.35mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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