MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHA17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6.5 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-8622
- Nº ref. fabric.:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 198 | 3,055 € | 6,11 € |
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- Código RS:
- 239-8622
- Nº ref. fabric.:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.305Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.305Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 850 V, corriente de drenaje de 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de alta tensión diseñado para contextos eléctricos y de automoción exigentes. Funciona como un dispositivo de agotamiento de canal N en un encapsulado de superficie TO-220 de orificio pasante, lo que proporciona una solución compacta para la conversión y el control de potencia donde se requiere un manejo de tensión y un margen térmico robustos.
Características y ventajas:
• Tensión máxima de drenaje-fuente de 850 V para aplicaciones de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 6,5 A que permite el manejo de carga sostenida • 0,305 Ω Rds minimiza las pérdidas de conducción bajo carga • La disipación de potencia de 34 W admite presupuestos térmicos elevados • Carga de puerta típica de 63 nC para un control de conmutación predecible • El rango de funcionamiento de ±150 °C/-55 °C ofrece una amplia resistencia a la temperatura
Aplicaciones
• Apto para etapas de convertidor dc-dc de alta tensión en sistemas industriales • Ideal para frontales de inversor y circuitos de factor de potencia • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos de automatización • Puede utilizarse para la electrónica de potencia de automoción que cumple los criterios AEC‐Q101 • Se utiliza con controladores de puerta que requieren características de carga definidas
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
El dispositivo tolera la excursión de la puerta hasta 30 V
los diseños deben garantizar que los circuitos de accionamiento de puerta permanezcan dentro de este límite para evitar la tensión de óxido de puerta.
¿Cómo debe implementarse la gestión térmica para un funcionamiento fiable?
Con un valor nominal de disipación de 34 W, conecte un disipador térmico adecuado a la pestaña TO‐220 y asegúrese de un flujo de aire suficiente para mantener las temperaturas de unión dentro de límites seguros.
¿Qué consideraciones se aplican a las pérdidas de conmutación y a la selección de los controladores?
Con una carga de puerta típica de 63 nC, elija un controlador capaz de generar y absorber las corrientes de pico necesarias para lograr los tiempos de subida/bajada deseados al tiempo que gestiona las pérdidas de conmutación.
¿Es adecuado el dispositivo para procesos de certificación de automoción?
Cumple los estándares AEC‐Q101 para MOSFET de automoción, lo que lo convierte en adecuado para diseños que requieren componentes de grado automovilístico.
¿Qué polaridad eléctrica y comportamiento de canal deben esperar los diseñadores?
El transistor es un dispositivo de agotamiento de canal N, por lo que la topología del circuito debe tener en cuenta su modo de canal al implementar disposiciones de conmutación normalmente activadas o normalmente apagadas.
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