MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHA17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6.5 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-8622
- Nº ref. fabric.:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 198 | 3,055 € | 6,11 € |
| 200 - 498 | 2,88 € | 5,76 € |
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- Código RS:
- 239-8622
- Nº ref. fabric.:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.305Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.305Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 850 V, corriente de drenaje continua máxima de 6,5 A - SiHA17N80AEF-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Se suministra en un encapsulado TO-220 diseñado para montaje en superficie y admite temperaturas de funcionamiento ampliadas, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento de amplio rango térmico y una robustez de grado automovilístico.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 850 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 6.5 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0.305 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 63 nC reduce las demandas de energía de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 34 W gestiona la tensión térmica durante el funcionamiento
• El rango de funcionamiento de -55 °C a +150 °C resiste temperaturas extremas
• La corriente de drenaje continua de 6.5 A admite corrientes de carga moderadas
• La Rds(on) de 0.305 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 63 nC reduce las demandas de energía de conmutación
• La disipación de potencia máxima de 34 W gestiona la tensión térmica durante el funcionamiento
• El rango de funcionamiento de -55 °C a +150 °C resiste temperaturas extremas
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Ideal para electrónica de automoción que cumple los requisitos AEC‐Q101
• Se utiliza con accionamientos de motor industriales que requieren una conmutación robusta
• Se puede utilizar para etapas SMPS que manejan carriles de alta tensión
• Se utiliza para la conmutación de potencia en interfaces de energía renovable
• Ideal para electrónica de automoción que cumple los requisitos AEC‐Q101
• Se utiliza con accionamientos de motor industriales que requieren una conmutación robusta
• Se puede utilizar para etapas SMPS que manejan carriles de alta tensión
• Se utiliza para la conmutación de potencia en interfaces de energía renovable
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse para un funcionamiento seguro?
El dispositivo no debe superar una tensión de fuente de puerta de 30 V para evitar la tensión de óxido de puerta.
¿Cómo influye el encapsulado en el manejo térmico?
El encapsulado TO-220 permite un disipador térmico eficaz y admite la disipación de potencia de 34 W indicada cuando se monta correctamente.
¿Qué características del canal afectan a las opciones de topología del circuito?
Al ser un dispositivo de modo de agotamiento de canal N, conduce sin accionamiento de puerta y requiere estrategias de polarización de puerta para controlar el comportamiento de estado de desconexión.
¿Es adecuado el dispositivo para entornos de automoción regulados?
Cumple los estándares de automoción AEC-Q101 y está especificado para límites de temperatura ampliados para cumplir los requisitos de los sistemas de vehículos.
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