MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 42 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Código RS:: 239-8635
Nº ref. fabric.:: SIHK055N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 42 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:: 239-8635
Nº ref. fabric.:: SIHK055N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	42A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.056Ω
	Modo de canal	Reducción
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	54nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	236W
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 42A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.056Ω
	Modo de canal Reducción
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 236W
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 42 A - SIHK055N60E-T1-GE3

Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y gestión de potencia en contextos industriales y de automoción exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para montajes en superficie donde se requiere un manejo robusto de alta tensión y un embalaje compacto.

Características y ventajas:

• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 42 A admite un funcionamiento de carga pesada • La baja Rds(on) de 0,056 Ω reduce las pérdidas por conducción • La carga de puerta típica de 54 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento • La disipación de potencia de 236 W permite un manejo de potencia sostenido • Valor nominal de +150 °C para entornos de temperatura elevada

Aplicaciones

• Apto para etapas de conversión de potencia en automatización industrial • Ideal para circuitos de conmutación de inversor de accionamiento de motor • Se utiliza para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas eléctricos • Se puede utilizar para módulos de gestión de potencia de automoción que requieren certificación AEC-Q101

¿Qué estilo de montaje es necesario para el montaje de la placa?

Se suministra en un encapsulado de superficie PowerPAK 10x12 con ocho contactos diseñados para procesos de soldadura de montaje en superficie y conducción térmica a la PCB.

¿Cómo afecta el requisito de accionamiento de puerta a la selección del controlador?

El dispositivo admite tensiones de fuente de puerta de hasta 30 V y tiene una carga de puerta típica de 54 nC, por lo que los controladores deben suministrar carga suficiente para las transiciones de conmutación deseadas al tiempo que permanecen dentro del límite VGS.

¿Qué condiciones ambientales extremas puede soportar durante el funcionamiento?

El componente está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en un amplio rango de temperaturas ambiente y de unión en entornos hostiles.

¿Hay homologaciones industriales relevantes para el uso en automoción?

Cumple los estándares AEC-Q101 para semiconductores de automoción y cumple la directiva RoHS sobre restricciones de materiales.