MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 212 A, N, PQFN de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

3.175,00 €

(exc. IVA)

3.840,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 5000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,635 €3.175,00 €

*precio indicativo

Código RS:
241-9698
Nº ref. fabric.:
BSZ018NE2LSIATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PQFN

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon es un MOSFET de canal N optimizado para convertidor reductor de alto rendimiento. Está probado al 100 % para avalancha.

Diodo monolítico integrado tipo Schottky

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

Enlaces relacionados