MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-263 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

1.475,20 €

(exc. IVA)

1.784,80 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 25 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 +1,844 €1.475,20 €

*precio indicativo

Código RS:
242-0966
Nº ref. fabric.:
AUIRFS3306TRL
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

AUIRFS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de Infineon de 60 V en un encapsulado D2-Pak. La corriente de drenaje continuo (Id) es de 160 A. La temperatura de funcionamiento del MOSFET de potencia es de -55 °C a 175 °C.

Tecnología de montaje en superficie

La disipación de potencia es de 230 W

Aplicación típica: accionamiento de motor con escobillas, accionamiento de motor sin escobillas

Tecnología de proceso avanzada

Resistencia de conexión ultrabaja

Conmutación rápida

Enlaces relacionados