MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFS3306TRL, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 242-0967
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFS3306TRL
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 242-0967
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFS3306TRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie AUIRFS | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de Infineon de 60 V en un encapsulado D2-Pak. La corriente de drenaje continuo (Id) es de 160 A. La temperatura de funcionamiento del MOSFET de potencia es de -55 °C a 175 °C.
Tecnología de montaje en superficie
La disipación de potencia es de 230 W
Aplicación típica: accionamiento de motor con escobillas, accionamiento de motor sin escobillas
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de conexión ultrabaja
Conmutación rápida