MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3306TRLPBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9424
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3306TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,955 € | 5,91 € |
| 20 - 48 | 2,69 € | 5,38 € |
| 50 - 98 | 2,51 € | 5,02 € |
| 100 - 198 | 2,36 € | 4,72 € |
| 200 + | 2,16 € | 4,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9424
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3306TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFS de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 60 V en un encapsulado D2 Pak.
Resistencia dV/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada
SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado
Diodo de cuerpo mejorado con capacidad dV/dt y dI/dt sin plomo
Conformidad con RoHS, sin halógenos