MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-263

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

707,20 €

(exc. IVA)

856,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 20 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
800 +0,884 €707,20 €

*precio indicativo

Código RS:
257-9423
Nº ref. fabric.:
IRFS3306TRLPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

160A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.2mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRFS de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 60 V en un encapsulado D2 Pak.

Resistencia dV/dt dinámica, avalancha y puerta mejorada

SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado

Diodo de cuerpo mejorado con capacidad dV/dt y dI/dt sin plomo

Conformidad con RoHS, sin halógenos

Enlaces relacionados