MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB110N20N3LFATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
242-5823
Nº ref. fabric.:
IPB110N20N3LFATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El FET MOSFET lineal de Infineon es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado activado (R DS(on)) y la capacidad de modo lineal: funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece la última tecnología R DS(on) de un MOSFET de trincha junto con la amplia área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.

Combinación de R DS(on) baja y área de funcionamiento segura amplia (SOA)

Corriente de impulso máxima alta

Corriente de impulso continua alta

Corriente de drenaje máxima de 88 A

Rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a 150 °C

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