MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R045P7ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 242-5828
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R045P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de superjunción Infineon es el sucesor de la serie CoolMOS P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta intrínsecamente baja (QG) de la plataforma CoolMOSTM de 7a generación garantizan su alta eficiencia.
Resistencia de puerta integrada RG
Adecuado para la conmutación dura y suave (PFC y LLC) gracias a una extraordinaria resistencia a la conmutación
Reducción significativa de pérdidas de conmutación y conducción
Excelente resistencia ESD>2 kV (HBM) para todos los productos
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