MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
242-5826
Nº ref. fabric.:
IPB60R045P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de superjunción Infineon es el sucesor de la serie CoolMOS P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta intrínsecamente baja (QG) de la plataforma CoolMOSTM de 7a generación garantizan su alta eficiencia.

Resistencia de puerta integrada RG

Adecuado para la conmutación dura y suave (PFC y LLC) gracias a una extraordinaria resistencia a la conmutación

Reducción significativa de pérdidas de conmutación y conducción

Excelente resistencia ESD>2 kV (HBM) para todos los productos

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