MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
242-5818
Nº ref. fabric.:
IPB048N15N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon es especialmente adecuado para accionamientos de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters electrónicos, así como para aplicaciones de telecomunicaciones y solares. Los productos ofrecen una reducción innovadora en R DS(on) (hasta un 25% en comparación con la siguiente mejor alternativa en SuperSO8) y Q rr sin comprometer FOM gd y FOM OSS, lo que reduce de manera eficaz el esfuerzo de diseño al tiempo que optimiza la eficiencia del sistema.

Menor R DS(on) sin comprometer FOMgd y FOMoss

Menor carga de salida

Carga de recuperación inversa ultrabaja (Q rr = 26 nC en SuperSO8)

Temperatura de funcionamiento de 175°C

Revestimiento de cable sin plomo

Cumple con la normativa RoHS

Tensión de ruptura de la fuente de drenaje 150 V

Corriente de drenaje máxima 120 A

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