MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB017N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 242-5817
- Nº ref. fabric.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 242-5817
- Nº ref. fabric.:
- IPB017N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon está especialmente diseñado para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones, incluida protección Or-ing, intercambio en caliente y batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor. El dispositivo tiene una RDS(on) más baja del 22% en comparación con dispositivos similares, uno de los mayores contribuyentes a esta FOM líder en la industria es la baja resistencia de estado on que proporciona el más alto nivel de densidad de potencia y eficiencia.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Reducción de la capacitancia de salida de hasta el 44 % Reducción del RDS(on) de hasta el 43 % respecto a la generación anterior
Mayor eficiencia del sistema
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
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