MOSFET Infineon IPB110P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 243-9267
Nº ref. fabric.:: IPB110P06LMATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB110P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

2,39 €

(exc. IVA)

2,89 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	2,39 €	2.390,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 243-9267
Nº ref. fabric.:: IPB110P06LMATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB110P06LMATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El transistor de señal pequeña de canal P de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET son de 100 A y -60 V respectivamente. Tiene un valor de resistencia muy bajo. La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y 150 °C.

Tecnología de montaje en superficie
Disponibilidad de nivel lógico
Fácil interfaz a unidad de microcontrolador (MCU)
Conmutación rápida
Resistencia en avalancha

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPB110P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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