MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB110P06LMATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 243-9268
- Nº ref. fabric.:
- IPB110P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 243-9268
- Nº ref. fabric.:
- IPB110P06LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de señal pequeña de canal P de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET son de 100 A y -60 V respectivamente. Tiene un valor de resistencia muy bajo. La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y 150 °C.
Tecnología de montaje en superficie
Disponibilidad de nivel lógico
Fácil interfaz a unidad de microcontrolador (MCU)
Conmutación rápida
Resistencia en avalancha
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