MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 273 A, P, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
243-9265
Nº ref. fabric.:
IPB020N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia. Tiene un excelente producto de carga de puerta (FOM). Se suministra normalmente en sistema de encapsulado D2PAK. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET de potencia es de 173 A y 80 V respectivamente

Disipación de potencia de 300 W

Montaje en superficie

Optimizado para rectificación síncrona

Reducción de capacitancia de salida de hasta un 44 %

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