MOSFET Infineon IPB020N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 173 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 243-9265
Nº ref. fabric.:: IPB020N08N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB020N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 173 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

1000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

1,902 €

(exc. IVA)

2,301 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	1,902 €	1.902,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 243-9265
Nº ref. fabric.:: IPB020N08N5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB020N08N5ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia de canal N de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia. Tiene un excelente producto de carga de puerta (FOM). Se suministra normalmente en sistema de encapsulado D2PAK. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET de potencia es de 173 A y 80 V respectivamente

Disipación de potencia de 300 W
Montaje en superficie
Optimizado para rectificación síncrona
Reducción de capacitancia de salida de hasta un 44 %

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	173 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPB020N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 173 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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