MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P03P4L04ATMA2, VDSS 100 V, ID 273 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 249-6909
- Nº ref. fabric.:
- IPB80P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
2,58 €
(exc. IVA)
3,12 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 572 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,58 € |
| 10 - 24 | 2,45 € |
| 25 - 49 | 2,35 € |
| 50 - 99 | 2,25 € |
| 100 + | 2,09 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 249-6909
- Nº ref. fabric.:
- IPB80P03P4L04ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El OptiMOS de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. El canal de funcionamiento es N. Cuenta con la certificación AEC Q101. MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo. Producto ecológico (conforme con RoHS) y se ha probado 100% con avalancha.
Temperaturas de funcionamiento: 175°C
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon IPB80P03P4L04ATMA2 ID 80 A, D2PAK (TO-263)
- MOSFET Infineon IPB80N06S4L07ATMA2 ID 80 A, D2PAK (TO-263)
- MOSFET Infineon IPB80N08S2L07ATMA1 ID 80 A, D2PAK (TO-263)
- MOSFET Infineon IAUT300N08S5N014ATMA1 ID 300 A, D2PAK (TO-263)
- MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1 ID 300 A, D2PAK (TO-263)
- MOSFET Infineon IPB049N08N5ATMA1 ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
- MOSFET Infineon IPB054N08N3GATMA1 ID 80 A , config. Simple
- MOSFET Infineon IPB120N08S404ATMA1 ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines