MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N10S405ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
242-5825
Nº ref. fabric.:
IPB120N10S405ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon ofrece el encapsulado D2PAK es ideal para topologías resonantes en SMPS de alta potencia, como servidores, telecomunicaciones y estaciones de carga de vehículos eléctricos, donde permite mejoras significativas en la eficiencia.

Canal N - Nivel normal - Modo de mejora

Calificación AEC Q101

MSL1 hasta 260°C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento de 175°C

100% probado en Avalancha

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