MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB048N15N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 242-5819
- Nº ref. fabric.:
- IPB048N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 242-5819
- Nº ref. fabric.:
- IPB048N15N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 273A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 273A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon es especialmente adecuado para accionamientos de baja tensión como carretillas elevadoras y scooters electrónicos, así como para aplicaciones de telecomunicaciones y solares. Los productos ofrecen una reducción innovadora en R DS(on) (hasta un 25% en comparación con la siguiente mejor alternativa en SuperSO8) y Q rr sin comprometer FOM gd y FOM OSS, lo que reduce de manera eficaz el esfuerzo de diseño al tiempo que optimiza la eficiencia del sistema.
Menor R DS(on) sin comprometer FOMgd y FOMoss
Menor carga de salida
Carga de recuperación inversa ultrabaja (Q rr = 26 nC en SuperSO8)
Temperatura de funcionamiento de 175°C
Revestimiento de cable sin plomo
Cumple con la normativa RoHS
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje 150 V
Corriente de drenaje máxima 120 A
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