MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R060C7ATMA1, VDSS 100 V, ID 273 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
250-0593
Nº ref. fabric.:
IPB60R060C7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

273A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

CoolMOS C7 de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superconexión (SJ) y con las tecnologías de Infineon como pioneras. Esta serie combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta calidad. El C7 de 600 V es la primera tecnología con RDS(on) A por debajo de 1 ohmios*mm². Es adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento). Tiene una mayor resistencia MOSFET dv/dt hasta 120 V/ns y mayor eficiencia.

Permite una mayor eficiencia del sistema al reducir las pérdidas de conmutación

Soluciones de mayor densidad de potencia gracias a encapsulados más pequeños

Adecuados para aplicaciones como servidores, telecomunicaciones y solares

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