MOSFET Infineon AIMW120R045M1XKSA1, VDSS 1.200 V, ID 52 A, TO-247 de 3 pines

El Infineon AIMW120R045M1XKSA1 está diseñado específicamente para cumplir los altos requisitos exigidos por la industria de automoción en cuanto a fiabilidad, calidad y rendimiento. El aumento de la frecuencia de conmutación para un convertidor que utiliza MOSFET CoolSiC™ puede resultar en una reducción drástica del volumen y el peso de los componentes magnéticos hasta en un 25%, lo que produce un aumento significativo de los costes de la propia aplicación. La ganancia en rendimiento cumple con los nuevos estándares de regulación en términos de requisitos de mayor eficiencia para vehículos eléctricos.

Material semiconductor revolucionario: Carburo de silicio  Pérdidas de conmutación muy bajas
Característica de estado de conexión sin umbral  Tensión de accionamiento compatible con IGBT (15V V para conexión)
Tensión de puerta de desconexión de 0V V.
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th)=4,5V V.
dv/dt completamente controlable
Diodo de conmutación de cuerpo robusto, listo para rectificación síncrona Pérdidas de conmutación independientes de temperatura