MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW120R020M1HXKSA1, VDSS 75 V, ID 52 A, N, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 248-6669
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R020M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 22,07 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 248-6669
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R020M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | IMW | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie IMW | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SiC de 1.200 V, 20 mΩ de Infineon CoolSiC en encapsulado TO247-3 se basa en un proceso de semiconductores de tipo trinchera de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad, entre los que se incluyen, los niveles de capacidad de dispositivo y carga de puerta más bajos que se ven en conmutadores de 1.200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interna, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado encendido sin umbral. Los MOSFET CoolSiC son ideales para topologías de conmutación duras y resonantes como circuitos de corrección de factor de potencia (PFC), topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.
VDSS - 1.200 V a T - 25 °C
IDCC - 98 A a T - 25 °C
RDS(on) - 19 mohm a VGS - 18 V, T - 25 °C
Pérdidas de conmutación muy bajas
Tiempo de resistencia de cortocircuito de 3 microsegundos
Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) - 4,2 V
Robusto contra activación parasitaria, se puede aplicar tensión de puerta de desconexión de 0 V
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión XT para el mejor rendimiento térmico de su clase